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PSD位置探测原理与特性是什么?

发布时间:2019-06-27 00:47 来源:未知 编辑:admin

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  展开全部PSD 是基于横向光电效应的光电位置敏感器件。横向光电效应又称侧向光生伏特效应或殿巴(Dember)效应。半导体光照部分吸收入射光子能量后产生电子空穴对,使该部分载流子浓度高于未被光照部分,因而出现了载流子浓度梯度,形成载流子的扩散。由于电子迁移率比空穴的大,因此电子首先向未被光照部分扩散,致使光照部分带正电,未被光照部分带负电,两部分之间产生光生电动势的现象称为横(侧)向光生伏特效应。当有光照射到 PSD 感光区,就会发生横向光电效应,在投射位置上就会产生电动势。由于 P 层的阻抗是均匀分布的,这样在 P 层两电极上聚集的光电流入射光位置和电极之间的距离成反比。假设光束入射到光敏面所产总的光电流为 I0,P 层两电极输出的光电流分别为 I1 和 I2,显然有 I0= I1+I2,I1 和 I2 的分流大小关系取决于入射光点的位置到电极间的等效电阻。

  用于中心对准的四象限象限探测器和用于位移测量的横向效应探测器(偏差在微米级)以及基于CCD/CMOS型位敏探测器

  楼上解释了基于横向光电效应探测器,CCD型探测器不用解释,这里说一下四象限探测器。

  如上图,四象限探测器是一个均匀的硅盘,中间有交叉间隙(10μm或30μm)。因此,有四个相等的光电探测器封装为一个。探测器的中心是交叉状分离产生的交叉点。以检测器为中心的激光束将从每个段产生相等的电流。光束运动将被转换成不同的电流在每个段,并通过处理这些数据,可以计算光束中心的波动。作者:瞬渺光电

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